產(chǎn)品拆解顯示惠普65W USB-C PD/PPS雙輸出電源適配器采用Transphorm SuperGaN® FET技術(shù)

高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今天宣布，其GaN技術(shù)已用于惠普的USB-C PD/PPS電源適配器。這一設(shè)計(jì)案例鞏固了Transphorm氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)技術(shù)在25瓦至350瓦的中低功率適配器領(lǐng)域的地位。

SuperGaN®技術(shù)的獨(dú)特之處

惠普電源適配器采用了Transphorm的SuperGaN第四代TP65H300G4LSG 650V GaN FET。該技術(shù)具備易設(shè)計(jì)性，兼具高性能和高可靠性，已成為T(mén)ransphorm GaN器件的代名詞。

此外，Transphorm最近完成了超過(guò)1000億小時(shí)的現(xiàn)場(chǎng)可靠性數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，失效率(FIT)率小于0.05。這些統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)涵蓋了廣泛的功率等級(jí)，覆蓋從25瓦到3.6千瓦的任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用。

此前已經(jīng)證實(shí)，與較大的裸片（如175毫歐）增強(qiáng)型GaN器件相比，Transphorm的較小裸片（即240毫歐）SuperGaN FET在150℃時(shí)的導(dǎo)通電阻增加率較低(23%)，并且在50%和100%（滿(mǎn)載）功率下表現(xiàn)出更高的性能。這得益于該技術(shù)平臺(tái)的內(nèi)在優(yōu)勢(shì)。

Transphorm現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用和技術(shù)銷(xiāo)售副總裁Tushar Dhayagude表示：“這對(duì)Transphorm來(lái)說(shuō)是一項(xiàng)重要的設(shè)計(jì)案例，因?yàn)榭蛻?hù)看到了我們對(duì)質(zhì)量、可靠性以及頂級(jí)性能的追求所帶來(lái)的好處。如今，諸如惠普這樣的頂級(jí)客戶(hù)也在接受我們的產(chǎn)品。我們的GaN FET適用于各種控制器，具有現(xiàn)成的集成式驅(qū)動(dòng)器，因此便于設(shè)計(jì)和驅(qū)動(dòng)。如今，隨著我們的產(chǎn)品持續(xù)在低功耗和高功率領(lǐng)域的不同市場(chǎng)中得到普及，設(shè)計(jì)和驅(qū)動(dòng)便利性變得越來(lái)越重要�！�

關(guān)于Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領(lǐng)導(dǎo)者，致力于設(shè)計(jì)、制造和銷(xiāo)售用于高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導(dǎo)體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合之一，持有或取得授權(quán)的專(zhuān)利超過(guò)1,000多項(xiàng)，在業(yè)界率先生產(chǎn)經(jīng)JEDEC和AEC-Q101認(rèn)證的高壓氮化鎵半導(dǎo)體器件。得益于垂直整合的業(yè)務(wù)模式，公司能夠在產(chǎn)品和技術(shù)開(kāi)發(fā)的每一個(gè)階段進(jìn)行創(chuàng)新：設(shè)計(jì)、制造、器件和應(yīng)用支持。Transphorm的創(chuàng)新正在使電力電子設(shè)備突破硅的局限性，以使效率超過(guò)99%、將功率密度提高40%以及將系統(tǒng)成本降低20%。Transphorm的總部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本會(huì)津設(shè)有制造工廠(chǎng)。